চিপ রোধ (সি এস) বৈশিষ্ট্য: 1.3 ওয়াটস ক্ষমতা নির্ধারণ ভিতরে 1 আঁচিল আকার, 1225 প্যাকেজ; 2। কম TCR এর Â ± 100ppm / a ° সেঃ; 3.Resistance মান থেকে 1 মি to10hm; 4. উচ্চ বিশুদ্ধতা alumভিতরেa স্তর জন্য উচ্চ ক্ষমতা অপচয়; 5.Long পাশ termভিতরেations সঙ্গে উচ্চer ক্ষমতা নির্ধারণ;
চিপ প্রতিরোধক (সিএস)
|
পণ্য |
চিপ প্রতিরোধক (সিএস) |
|
বৈশিষ্ট্য |
1 ওয়ার্ট আকারে 123 প্যাকেজে 1.3 ওয়াট পাওয়ারের রেটিং; 2. একটি কম টিCR ± 100ppm / a ° সেঃ; ৩ মিটার থেকে দশ ঘন্টা পর্যন্ত দূরত্বের মান; উচ্চ উচ্চ শক্তি অপচয় জন্য উচ্চ বিশুদ্ধতা অ্যালুমিনা স্তর; উচ্চতর পাওয়ার রেটিং সহ 5. দীর্ঘ পাশের অবসান; |
মাত্রা:
|
আদর্শ |
ফাইলের আকার (lnch) |
এল |
ওয়াট |
টি |
D1 |
D2 গ্রাহকের |
ওয়াটeight(g) |
|
CS01 |
0201 |
0.58Â ± 0.05 |
0.29Â ± 0.05 |
0.23Â ± 0.05 |
0.12Â ± 0.05 |
0.15Â ± 0.05 |
0.18 |
|
CS02 |
0402 |
1.000Â ± 0.05 |
0.50Â ± 0.05 |
0.32Â ± 0.10 |
0.25Â ± 0.10 |
0.20Â ± 0.10 |
0.7 |
|
CS03 |
0603 |
1.6Â ± 0.10 |
0.80Â ± 0.10 |
0.45Â ± 0.10 |
0.30Â ± 0.20 |
0.30Â ± 0.20 |
1.99 |
|
CS05 |
0805 |
2.00Â ± 0.15 |
1.25Â ± 0.15 |
0.55Â ± 0.10 |
0.30Â ± 0.20 |
0.40Â ± 0.25 |
5.3 |
|
CS06 |
1206 |
3.05Â ± 0.15 |
1.55Â ± 0.15 |
0.55Â ± 0.10 |
0.50Â ± 0.30 |
0.40Â ± 0.25 |
8,82 |
|
CS13 |
1210 |
3.00Â ± 0.15 |
2.50Â ± 0.15 |
0.55Â ± 0.10 |
0.50Â ± 0.30 |
0.50Â ± 0.25 |
15.5 |
|
CS10 |
2010 |
5.00Â ± 0.20 |
2.45Â ± 0.15 |
0.60Â ± 0.15 |
0.60Â ± 0.30 |
0.50Â ± 0.25 |
27,03 |
|
CS12 |
2512 |
6.35Â ± 0.20 |
3.15Â ± 0.15 |
0.60Â ± 0.10 |
0.60Â ± 0.30 |
0.55Â ± 0.25 |
43,08 |
|
CS12(2ওয়াট) |
2512 (10.000mÎ ©) |
6.35Â ± 0.20 |
3.15Â ± 0.15 |
0.74Â ± 0.10 |
0.60Â ± 0.30 |
0.55Â ± 0.25 |
43,08 |
|
CS12(2ওয়াট) |
2512 (10.000mÎ ©) |
6.35Â ± 0.20 |
3.15 + + 0.15 |
0.74Â ± 0.10 |
0.60Â ± 0.30 |
2.70Â ± 0.10 |
43,08 |
|
CS25 |
1225 |
3.10Â ± 0.15 |
6.30Â ± 0.15 |
0.90Â ± 0.15 |
0.60Â ± 0.30 |
0.55Â ± 0.25 |
53.8 |
|
CS37 |
3720 |
2.00Â ± 0.20 |
3.75Â ± 0.20 |
0.60Â ± 0.10 |
0.40Â ± 0.20 |
0.40Â ± 0.20 |
19,96 |
|
CS75 |
7520 |
2.00Â ± 0.20 |
7.50Â ± 0.30 |
0.60Â ± 0.10 |
0.40Â ± 0.20 |
0.40Â ± 0.20 |
35,71 |
অ্যাপ্লিকেশন:
|
1. পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট অ্যাপ্লিকেশন |
|
2. সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই |
|
3. অডিও অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে বর্তমান সুরক্ষা |
|
4. ভোল্টেজ রেগুলেশন মডিউল - ভিআরএমï¼ ï¼ |
|
5.ডিসি-ডিসি রূপান্তরকারী ব্যাটারি প্যাক, চার্জার অ্যাডাপ্টার |
|
6.আউটমোটিভ ইঞ্জিন নিয়ন্ত্রণ |
|
7. ডিস্ক ড্রাইভার |
|
8. পার্টেবল ডিভাইসগুলি - পিডিএ, সেল ফোনï¼ |
পরিবেশগত বৈশিষ্ট্য:
|
পদ |
Repuirement |
টিest Method |
|
টিemperature Coefficient of Resistance (টি.C.R.) |
স্পিড হিসাবে |
+ 25 / -55 / + 25 + 125 / + 25A ° সেঃ |
|
Short টিime Overload |
 ± 0.5% |
আরসিডব্লিউভি * 2.5 বা সর্বোচ্চ। ওভারলোড ভোল্টেজ 5 সেকেন্ডের জন্য |
|
উচ্চ পাওয়ার রেটিংয়ের জন্য 土 – 土R土1% |
||
|
আমিnsulation রেজিস্যান্স |
> 1000MÎ © |
1 মিনিটের জন্য 100Vdc প্রয়োগ করুন |
|
Endusrance |
 ± 1% |
70 ±2°C.Max. ওয়াটorking voltege for1000hrs with 1.5 hrs “ON” and 0.5 hrs “OFF” |
|
Damp Heat with এলoad |
 ± 0.5% |
90-95%R.H, Max. ওয়াটorking voltage for 1000 hrs with 1.5 hrs “ON” and 0.5 hrs "OFF" |
|
শুষ্ক তাপ |
 ± 0.5% |
1000 ঘন্টা জন্য + 155Â ° সে |
|
নমন শক্তি |
স্পিড হিসাবে |
নমন প্রশস্ততা 3 মিমি fbr 10 সেকেন্ড |
|
solderability |
95% মিনিট, কভারেজ |
245 Â ± 5Â ° সে 3 সেকেন্ডের জন্য |
|
সোলারিং উত্তাপ প্রতিরোধের |
 ± 0.5% |
260 Â ± 5Â ° C fbr 10 সেকেন্ড |
|
Dielectric ওয়াটithstand Voltage |
By আদর্শ |
Apply Max. Overload Voltage fbr আমি minute |
|
টিhemal Shock |
 ± 0.5% |
-55Â ° Câ € "150Â ° C, 100 চক্র |
|
এলow টিemperature Operation |
 ± 0.5% |
1hour, -65°C followed by 45 minutes of RCওয়াটV |
নির্মাণ:
